Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs
Sverdlov, Viktor
Produktnummer:
185e8a37dd57d14cf88296a33eaeed7274
| Autor: | Sverdlov, Viktor |
|---|---|
| Themengebiete: | semiconductor devices strain technique transport modeling |
| Veröffentlichungsdatum: | 24.11.2010 |
| EAN: | 9783709103814 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 252 |
| Produktart: | Gebunden |
| Verlag: | Springer Wien |
Produktinformationen "Strain-Induced Effects in Advanced MOSFETs"
Strain is used to boost performance of MOSFETs. Modeling of strain effects on transport is an important task of modern simulation tools required for device design. The book covers all relevant modeling approaches used to describe strain in silicon. The subband structure in stressed semiconductor films is investigated in devices using analytical k.p and numerical pseudopotential methods. A rigorous overview of transport modeling in strained devices is given.
Sie möchten lieber vor Ort einkaufen?
Sie haben Fragen zu diesem oder anderen Produkten oder möchten einfach gerne analog im Laden stöbern? Wir sind gerne für Sie da und beraten Sie auch telefonisch.
Juristische Fachbuchhandlung
Georg Blendl
Parcellistraße 5 (Maxburg)
8033 München
Montag - Freitag: 8:15 -18 Uhr
Samstags geschlossen