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Spin and Optoelectronic Properties of Single Vacancies Embedded in Atomically Thin Semiconductor Devices

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Produktnummer: 1857ffdfebaa3147efbe613f9f4ca511a0
Produktinformationen "Spin and Optoelectronic Properties of Single Vacancies Embedded in Atomically Thin Semiconductor Devices"
Two-dimensional materials exhibit outstanding electronic and optical properties that can be tuned by various parameters, such as magnetic and electric fields, impurities, defects, and the dielectric environment. A He-ion beam focused on atomically thin 2D materials creates point-defects that can be utilized in future quantum networks. In this work, we characterize the sulfur vacancy in monolayer MoS2 with the help of magneto- and optoelectronic-spectroscopy methods.
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