Spin and Optoelectronic Properties of Single Vacancies Embedded in Atomically Thin Semiconductor Devices
Hötger, Alexander
Produktnummer:
1857ffdfebaa3147efbe613f9f4ca511a0
| Autor: | Hötger, Alexander |
|---|---|
| Themengebiete: | 2D Materials Defects Optoelectronics |
| Veröffentlichungsdatum: | 01.03.2024 |
| EAN: | 9783946379553 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 124 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München |
Produktinformationen "Spin and Optoelectronic Properties of Single Vacancies Embedded in Atomically Thin Semiconductor Devices"
Two-dimensional materials exhibit outstanding electronic and optical properties that can be tuned by various parameters, such as magnetic and electric fields, impurities, defects, and the dielectric environment. A He-ion beam focused on atomically thin 2D materials creates point-defects that can be utilized in future quantum networks. In this work, we characterize the sulfur vacancy in monolayer MoS2 with the help of magneto- and optoelectronic-spectroscopy methods.
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