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Vorderes Coverbild Hydride vapour phase epitaxy growth, crystal properties and dopant incorporation in gallium nitride
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Vorderes Coverbild Gallium Nitride Processing for Electronics, Sensors and Spintronics
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Vorderes Coverbild GaN Single Crystal Growth and Application
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181,89 €*
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Vorderes Coverbild GaN Hybrid Materials for Catalytic Applications
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18,00 €*
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Vorderes Coverbild Charakterisierung der Schaltverluste diskreter Wide Band Gap Leistungshalbleiter und Entwärmung kompakter Bauteile
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39,00 €*
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Vorderes Coverbild Elektrische Charakterisierung hybrider PEDOT/ZnO- und PEDOT/GaN-Strukturen hergestellt mittels oxidativer chemischer Gasphasendeposition
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89,90 €*
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