Revolutionizing Electronics and Optoelectronics with III-Nitride Semiconductors
SALINA
Produktnummer:
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| Autor: | SALINA |
|---|---|
| Themengebiete: | Aluminum nitride (AlN) Gallium nitride (GaN) High-electron mobility transistors (HEMTs) Indium nitride (InN) Laser diodes Light-emitting diodes (LEDs) Power electronics Radio frequency (RF) devices Solid-state lighting Wide bandgap semiconductors |
| Veröffentlichungsdatum: | 17.05.2024 |
| EAN: | 9783384231154 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 166 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | tredition |
Produktinformationen "Revolutionizing Electronics and Optoelectronics with III-Nitride Semiconductors"
This book dives into a new generation of semiconductors called III-nitrides, with a focus on how they're transforming electronics and optoelectronics. It explores the unique properties of these materials, particularly their ability to handle high power and operate at faster speeds than traditional silicon. The book delves into how III-nitrides are being used to create efficient light-emitting diodes (LEDs) and lasers, while also revolutionizing power electronics for applications like faster chargers and electric vehicles. By explaining the science and showcasing the applications, the book paints a picture of how III-nitrides are leading the way to a more energy-efficient and powerful electronic future.
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