Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
Sun, Yabin
Produktnummer:
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| Autor: | Sun, Yabin |
|---|---|
| Themengebiete: | Compact Model Heavy Ion Radiation Parameter Extraction Radiation Effects SiGe HBT heterojunction Bipolar Transistor silicon-germanium |
| Veröffentlichungsdatum: | 04.01.2019 |
| EAN: | 9789811351815 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 168 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | Springer Singapore |
Produktinformationen "Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT"
This book primarily focuses on the radiation effects and compact model of silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs). It introduces the small-signal equivalent circuit of SiGe HBTs including the distributed effects, and proposes a novel direct analytical extraction technique based on non-linear rational function fitting. It also presents the total dose effects irradiated by gamma rays and heavy ions, as well as the single-event transient induced by pulse laser microbeams. It offers readers essential information on the irradiation effects technique and the SiGe HBTs model using that technique.
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