Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT
Sun, Yabin
Produktnummer:
18818274835a6d463fabfd1fa435e90df4
| Autor: | Sun, Yabin |
|---|---|
| Themengebiete: | Compact Model Heavy Ion Radiation Parameter Extraction Radiation Effects SiGe HBT heterojunction Bipolar Transistor silicon-germanium |
| Veröffentlichungsdatum: | 02.11.2017 |
| EAN: | 9789811046117 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 168 |
| Produktart: | Gebunden |
| Verlag: | Springer Singapore |
Produktinformationen "Research on the Radiation Effects and Compact Model of SiGe HBT"
Nominated as an outstanding PhD dissertation by Tsinghua University, China Proposes a new technique for detecting displacement damage in silicon-germanium (SiGe) heterojunction bipolar transistors (HBTs) with swift heavy ions instead of neutrons Presents an improved, high-frequency, small-signal model for SiGe HBTs taking into account the distribution characteristics
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