Optoelectronic Properties of GaN Nanostructures and Novel II-III Oxynitrides Grown by Molecular Beam Epitaxy
Kraut, Max
Produktnummer:
1869187e4837d544798a664065860e0248
| Autor: | Kraut, Max |
|---|---|
| Themengebiete: | Molecular beam epitaxy Nanostructures Oxynitrides |
| Veröffentlichungsdatum: | 01.08.2022 |
| EAN: | 9783946379454 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 194 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | Verein zur Förderung des Walter Schottky Instituts der Technischen Universität München |
Produktinformationen "Optoelectronic Properties of GaN Nanostructures and Novel II-III Oxynitrides Grown by Molecular Beam Epitaxy"
Die Photolumineszenz von GaN-Nanodrähten zeigt zeitliche Instabilität. Davon ausgehend wird der Ein?uss von Luftbestandteilen und der Temperatur auf die Nanodraht Ober?äche untersucht. Unter intensivem UV-Licht zersetzt sich das Material in Wasser, wobei die a- beständiger als die m-Facette ist. Dies wird benutzt, um stabile Nanogitter herzustellen. Es werden In/Ga-Zn-O-N Schichten via MBE-Wachstum hergestellt und die Position der Bandkanten, die Größe der optischen Bandlücke, die elektrischen und elektrochemischen Eigenschaften der Materialien werden untersucht.
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