Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs
Produktnummer:
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| Themengebiete: | Chemische Analyse Elektronik Galliumverbindungen Halbleiter Kristall Massenspektrometrie Nanotechnologie Photoelektronenspektroskopie Produktion Spektrometrie |
|---|---|
| Veröffentlichungsdatum: | 23.09.1997 |
| EAN: | 9783824420919 |
| Sprache: | Deutsch |
| Seitenzahl: | 138 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | Deutscher Universitätsverlag |
Produktinformationen "Oberflächenanalytische Charakterisierung von metallischen Verunreinigungen und Oxiden auf GaAs"
Inhalt dieses Buches ist die detaillierte Charakterisierung der Oberfläche von GaAs-Halbleitern hinsichtlich oberflächennaher Verunreinigungen und passivierender Oxidschichten. Der Autor entwickelt ein Verfahren zum quantitativen Nachweis von metallischen Spurenelementen mit der Flugzeit-Sekundärionenmassenspektrometrie (TOF-SIMS), das es möglich macht, Oberflächenbelegungen auf GaAs mit Konzentrationen kleiner 109 Atome/cm2 quantitativ nachzuweisen. Ein Vergleich passivierender Oxide hinsichtlich ihrer Komponenten, Schichtstruktur und Dicke liefert die Grundlagen für gezielte Änderungen des Herstellungsprozesses.
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