Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente
Baierhofer, Daniel
Produktnummer:
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| Autor: | Baierhofer, Daniel |
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| Themengebiete: | Defekt Elektronisches Bauelement Halbleitertechnologie Homoepitaxie Materialcharakterisierung Photolumineszenz Siliciumcarbid |
| Veröffentlichungsdatum: | 22.02.2023 |
| EAN: | 9783961476190 |
| Sprache: | Deutsch |
| Seitenzahl: | 243 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | FAU University Press |
Produktinformationen "Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente"
Ziel dieser Arbeit war es, eine Korrelation der Siliciumcarbid (SiC) Materialqualität mit Ausfallmechanismen leistungselektronischer 4H-SiC Trench-MOSFET Bauelemente herzustellen. Dafür wurden homo-epitaktische, n-leitende SiC-Schichten abgeschieden. Diese Schichten wurden anschließend mit konfokaler DIC-Mikroskopie und UV-PL Methoden hinsichtlich ihrer Defekte charakterisiert. Die so charakterisierten Epitaxie-Wafer wurden zur Herstellung von leistungselektronischen Trench-MOSFET Bauelementen verwendet. Nach der Prozessierung wurden die Bauelemente elektrisch charakterisiert. Elektrische Ausbeute-Maps wurden anschließend mit den während der Prozessierung aufgenommenen Defektdaten überlagert und mit entsprechenden Defektklassen abgeglichen. Abschließende Untersuchungen an diesen charakterisierten Bauelementen dienten zur Analyse der Langzeitstabilität und Zuverlässigkeit.
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