Halbleiter-Leistungsbauelemente
Lutz, Josef
Produktnummer:
185cbb565942374d789b967b7e9b281ef4
Autor: | Lutz, Josef |
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Themengebiete: | Bipolare Transistoren Halbleiter Halbleiterphysik Halbleiterphysikalische Grundlagen Herstellungstechnologie IGBTs MOSFET MOS Transistoren Robustheit Schnelle Dioden |
Veröffentlichungsdatum: | 07.11.2012 |
EAN: | 9783642297953 |
Auflage: | 2 |
Sprache: | Deutsch |
Seitenzahl: | 383 |
Produktart: | Gebunden |
Verlag: | Springer Berlin |
Untertitel: | Physik, Eigenschaften, Zuverlässigkeit |
Produktinformationen "Halbleiter-Leistungsbauelemente"
Halbleiter-Leistungsbauelemente sind das Kernstück der Leistungselektronik. Sie bestimmen die Leistungsfähigkeit, sie machen neuartige und verlustarme Schaltungen erst möglich. Da für deren Anwendung nicht nur die Vorgänge im Halbleiter, sondern auch die thermischen und mechanischen Eigenschaften wesentlich sind, beinhaltet die Behandlung der Halbleiter-Leistungsbauelemente auch die Aufbau- und Verbindungstechnik. Das Buch geht auf die physikalischen Grundlagen ein, behandelt die Herstellungstechnologie, geht auf einzelne Bauelemente wie Dioden, Transistoren, Thyristoren, MOS-Transistoren und IGBTs detailliert ein. Aufbau- und Verbindungstechnik sowie thermomechanische Probleme werden behandelt und die bekannten Zerstörungsmechanismen und Störungseffekte einzelner Bauarten werden beschrieben. Für den Systementwurf werden leistungselektronische Systeme als Ganzes betrachtet.Die 2. bearbeitete Auflage stellt einige Zusammenhänge bei Transistoren und Thyristoren präziser dar. Sie berücksichtigt die technischen Neuerungen und Entwicklungen seit Erscheinen der 1. Auflage.Ergänzt wurde die Beschreibung einiger Bauelemente aus SiC, der Weiterentwicklungen bei IGBTs sowie weitere Erkenntnisse zur Robustheit von Leistungsdioden.

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