Gas Source Molecular Beam Epitaxy
Panish, Morton B., Temkin, Henryk
Produktnummer:
18501579d2726a4786919539863642731b
Autor: | Panish, Morton B. Temkin, Henryk |
---|---|
Themengebiete: | chemistry diffraction electronics epitaxy exciton laser optical communication optical properties optoelectronic devices photodiode |
Veröffentlichungsdatum: | 30.12.2011 |
EAN: | 9783642781292 |
Sprache: | Englisch |
Seitenzahl: | 428 |
Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
Verlag: | Springer Berlin |
Untertitel: | Growth and Properties of Phosphorus Containing III-V Heterostructures |
Produktinformationen "Gas Source Molecular Beam Epitaxy"
Today nobody can do without modern semiconductor technology and their application in micro- and optoelectronics. Here, the technique that is able to grow thinnest and best definded layers is described by the "pope" of the method in whose laboratory it was developed. Whoever is involved in research and development or advanced studies in this fascinating field will welcome the unique volume with great interest.

Sie möchten lieber vor Ort einkaufen?
Sie haben Fragen zu diesem oder anderen Produkten oder möchten einfach gerne analog im Laden stöbern? Wir sind gerne für Sie da und beraten Sie auch telefonisch.
Juristische Fachbuchhandlung
Georg Blendl
Parcellistraße 5 (Maxburg)
8033 München
Montag - Freitag: 8:15 -18 Uhr
Samstags geschlossen