Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors
Chaudhry, Amit
Produktnummer:
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| Autor: | Chaudhry, Amit |
|---|---|
| Themengebiete: | Ballistic Effect Devices Biaxial Strained Si Technology Compact MOSFET Models Electron Devices MOSFETs at Nanoscale Nanoscale MOSFET Nanoscale MOS Transistors Transistor Quantum Effects |
| Veröffentlichungsdatum: | 23.04.2013 |
| EAN: | 9781461468219 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 201 |
| Produktart: | Gebunden |
| Verlag: | Springer US |
Produktinformationen "Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors"
Fundamentals of Nanoscaled Field Effect Transistors gives comprehensive coverage of the fundamental physical principles and theory behind nanoscale transistors. The specific issues that arise for nanoscale MOSFETs, such as quantum mechanical tunneling and inversion layer quantization, are fully explored. The solutions to these issues, such as high-? technology, strained-Si technology, alternate devices structures and graphene technology are also given. Some case studies regarding the above issues and solution are also given in the book.
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