Estudiar las características de la nanoestructura de silicio preparada mediante PEC
Mohammed Jawad, Muna
| Autor: | Mohammed Jawad, Muna |
|---|---|
| Veröffentlichungsdatum: | 30.11.2025 |
| EAN: | 9786209306891 |
| Sprache: | Spanisch |
| Seitenzahl: | 116 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | Ediciones Nuestro Conocimiento |
| Untertitel: | Nanoestructuras de silicio |
Produktinformationen "Estudiar las características de la nanoestructura de silicio preparada mediante PEC"
En este trabajo, se fabrica una capa de silicio poroso (PS) con nanoestructuras mediante (PEC) utilizando un diodo láser de 650 nm a diferentes densidades de potencia de iluminación para un sustrato de silicio de tipo n con una resistividad (10 ¿.cm) y HF del 48,5 % y etanol (99 %) (1:1). Se estudian las propiedades morfológicas, ópticas y eléctricas. Estas características se estudian utilizando nuestro modelo matemático que representa las propiedades eléctricas. Las propiedades eléctricas de la capa de silicio poroso se clasifican según las propiedades de la estructura y demostramos que las propiedades eléctricas dependen de la permitividad relativa según esta clasificación. Véase en la baja densidad de potencia la característica J-v que parece no rectificadora y el silicio poroso se comporta como un contacto óhmico, la alta densidad de potencia del láser que produce una unión rectificadora, que se ha comportado como un contacto óhmico y un tiempo de grabado alto que se comporta como una unión (schottky), mientras que a (200 mW/cm2) la unión se comporta como un diodo (heterounión).
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