CMOS RF Circuit Design for Reliability and Variability
Yuan, Jiann-Shiun
Produktnummer:
18c0e9cd2f931241fc85ac559408195a8a
| Autor: | Yuan, Jiann-Shiun |
|---|---|
| Themengebiete: | Device Reliaiblity Hot Electron Effect Oxide Breakdown Process Variation RF Circuit Reliability |
| Veröffentlichungsdatum: | 21.04.2016 |
| EAN: | 9789811008825 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 106 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | Springer Singapore |
Produktinformationen "CMOS RF Circuit Design for Reliability and Variability"
The subject of this book is CMOS RF circuit design for reliability. The device reliability and process variation issues on RF transmitter and receiver circuits will be particular interest to the readers in the field of semiconductor devices and circuits. This proposed book is unique to explore typical reliability issues in the device and technology level and then to examine their impact on RF wireless transceiver circuit performance. Analytical equations, experimental data, device and circuit simulation results will be given for clear explanation. The main benefit the reader derive from this book will be clear understanding on how device reliability issues affects the RF circuit performance subjected to operation aging and process variations.
Sie möchten lieber vor Ort einkaufen?
Sie haben Fragen zu diesem oder anderen Produkten oder möchten einfach gerne analog im Laden stöbern? Wir sind gerne für Sie da und beraten Sie auch telefonisch.
Juristische Fachbuchhandlung
Georg Blendl
Parcellistraße 5 (Maxburg)
8033 München
Montag - Freitag: 8:15 -18 Uhr
Samstags geschlossen