Ballistischer Transport in nanoskaligen Si/SiGe-Heterofeldeffektstrukturen
Wieser, Ulrich
Produktnummer:
1803a24bb3600445aab67c9c8014374810
| Autor: | Wieser, Ulrich |
|---|---|
| Themengebiete: | Nanoelektronik Naturwissenschaft Physik |
| Veröffentlichungsdatum: | 01.07.2001 |
| EAN: | 9783934453265 |
| Auflage: | 1 |
| Sprache: | Deutsch |
| Seitenzahl: | 148 |
| Produktart: | Buch |
| Herausgeber: | Kunze, Ulrich |
| Verlag: | Bochumer Universitätsverlag Westdeutscher Universitätsverlag |
Produktinformationen "Ballistischer Transport in nanoskaligen Si/SiGe-Heterofeldeffektstrukturen"
Im Elektronenkanal modulationsdotierter Si/SiGe-Hetero-feld-effekttransistoren werden durch Nanostrukturierung der Oberfläche ein- bzw. nulldimensionale elektronische Systeme erzeugt. Die Nanostrukturierung erfolgt entweder durch dynamisches Pflügen eines Resists mit dem Raster-kraftmikroskop oder durch Elektronenstrahllithographie und anschließendes materialselektives naß-chemisches Ätzen. Die minimalen Strukturabmessungen liegen bei etwa 15 nm. In Quantenpunktkontakten läßt sich bei T = 4.2 K die sukzessive Besetzung eindimensionaler Subbänder mit steigender Gatespannung beobachten. Unter endlicher Drainspannung führt die Auf-heizung von Elektronen zu negativ differentiellem Leitwert in der Strom-Spannungs-Kennlinie. Neben ballistischen Effekten finden sich in einigen Quantenpunktkontakten und in lithographisch erzeugten Quantenpunkten auch Einzelelektroneneffekte, die als Coulomb-Blockade-Oszillationen im Leitwert sichtbar sind.
Sie möchten lieber vor Ort einkaufen?
Sie haben Fragen zu diesem oder anderen Produkten oder möchten einfach gerne analog im Laden stöbern? Wir sind gerne für Sie da und beraten Sie auch telefonisch.
Juristische Fachbuchhandlung
Georg Blendl
Parcellistraße 5 (Maxburg)
8033 München
Montag - Freitag: 8:15 -18 Uhr
Samstags geschlossen