Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor
Amiri, Iraj Sadegh, Ghadiry, Mahdiar
Produktnummer:
1856875ae4a4e14e31acc1975a8ba2cc3e
| Autor: | Amiri, Iraj Sadegh Ghadiry, Mahdiar |
|---|---|
| Themengebiete: | Breakdown Voltage (BV) GNRFET Gate Voltages Length of Velocity Saturation Region (LVSR) Semiconductor Devices graphene-based transistors graphene nanoribbon-based transistors |
| Veröffentlichungsdatum: | 16.11.2017 |
| EAN: | 9789811065491 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 86 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | Springer Singapore |
Produktinformationen "Analytical Modelling of Breakdown Effect in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistor"
Provides analytical models for lateral electric field and length of velocity saturation region of graphene nanoribbon based field effect transistors (GNR-based FETs)Discusses an analytical model for the ionization coefficient and breakdown voltage of GNR-based FETsPresents simulations for GNR-based FETs in terms of breakdown voltage and calculates the maximum operating voltage of the typical GNRFETs at different conditions
Sie möchten lieber vor Ort einkaufen?
Sie haben Fragen zu diesem oder anderen Produkten oder möchten einfach gerne analog im Laden stöbern? Wir sind gerne für Sie da und beraten Sie auch telefonisch.
Juristische Fachbuchhandlung
Georg Blendl
Parcellistraße 5 (Maxburg)
8033 München
Montag - Freitag: 8:15 -18 Uhr
Samstags geschlossen