4H-Silicon Carbide MOSFET
Liu, Gang
| Autor: | Liu, Gang |
|---|---|
| Veröffentlichungsdatum: | 17.03.2014 |
| EAN: | 9783639712483 |
| Sprache: | Englisch |
| Seitenzahl: | 124 |
| Produktart: | Kartoniert / Broschiert |
| Verlag: | Scholars' Press |
| Untertitel: | Interface Structure, Defect States and Inversion Layer Mobility |
Produktinformationen "4H-Silicon Carbide MOSFET"
Silicon carbide is the only wide band gap semiconductor that has a native oxide, and a leading candidate for development of next-generation, energy efficient, high power metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Progress in this technology has been limited by the semiconductor-dielectric interface structure and its effect on the inversion layer mobility. The major objective of this work is to study and improve 4H-SiC MOSFET interface structure, defect states and inversion layer mobility on the (11-20) crystal face of SiC (a-face), employing nitrogen and phosphorous passivation. We also use these results to explore the effect of reactive ion etching on the a-face, an important aspect of processing optimum power devices. We correlate electrical measurements, i.e. current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) with physical characterization including X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), atomic force microscopy (AFM), transmission electron microscopy (TEM), secondary ion mass spectrometry (SIMS) and medium energy ion scattering (MEIS).
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